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《模拟电子技术基础（一）》期末试题〔A〕 一、填空题（15 分） 1．由 PN 结构成的半导体二极管具有的主要特性是 2、双极性晶体三极管工作于放大模式的外部条件是 性。 。 3．从信号的传输途径看，集成运放由 、 、 这几个部分组成。 、 某放大器的下限角频率? ，上限角频率? L H ，则带宽为 Hz。 共发射极电路中采用恒流源做有源负载是利用其的特点以获得较高增益。 在 RC 桥式正弦波振荡电路中，当满足相位起振条件时，则其中电压放大电路的放大倍数要略大于 才能起振。 电压比较器工作时，在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中，单限比较器的 输出状态发生 次跃变，迟滞比较器的输出状态发生 次跃变。 8．直流稳压电源的主要组成部分是 、 、 。 二 、 单 项 选 择 题 （15 分 ） 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 。 [ 、 ] A 增大 B 减小 C 不变 D 等 于 零2．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的 。 [ ] A 非饱和区 B 饱和区 C 截止区 D 击 穿 区3．直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是 。 [ ] A 电阻阻值有误差 B 晶体管参数的分散性 C 晶体管参数受温度影响 D 受 输 入 信 号 变 化 的 影 响4．差动放大电路的主要特点是 。 [ ] A 有效放大差模信号，有力抑制共模信号；B 既放大差模信号，又放大共模信号C 有效放大共模信号，有力抑制差模信号；D 既抑制差模信号，又抑制共模信号。 5．互补输出级采用射极输出方式是为了使 。 [ ] A 电压放大倍数高 B 输出电流小 C 输出电阻增大 D 带负载能力强 6．集成运放电路采用直接耦合方式是因为 。 [ ] A 可获得较高增益 B 可使温漂变小 C 在集成工艺中难于制造大电容 D 可以增大输入电阻 放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是 。 [ ] A 耦合电容和旁路电容的影响 B 晶体管极间电容和分布电容的影响 C 晶体管的非线性特性 D 放大电路的静态工作点设置不合适 当信号频率等于放大电路的 f 和 f AVMAXVVA A VMAX V V A VMAX 时，放大倍数的数值将下降到中频时的 。 A 倍 B 倍 C 倍 D 倍 [ ] 9．在输入量不变的情况下，若引入反馈后 ，则说明引入的是负反馈。[ ] A 输入电阻增大 B 输出量增大 C 净输入量增大 D 净输入量减小 10．带通滤波器所对应的幅频特性为 o [ ] A、 A B、 A VC、 o A V A VMAX o f f D、 AV A VMAX 三、判断以下电o路能否放大交流信f号，若不能，请改o正其中的错误使其能f起放大作用。 （12 分） （A） （C） 四、请判断下列电路中的反馈的类型，并说明哪些元件起反馈作用。（8 分） （ A ） （B） 五、综合题（50 分） 1．（6 分）稳压管稳压电路如图所示。已知稳 压管稳压值为 V =6V，稳定电流范围为 I =5～20mA，额定功率为 200mW，限流电阻 R=500 ? 。 Z Z 试求： 当V ? 20V i 当V ? 20V i , R ? 1K? 时， V ? ? L 0 , R ? 100? 时， V ? ? L 0 2、（14 分）单级放大电路如图：在输入信号的中频段 C 、C 、 1 2 C 对交流短路， 已知：V =12V、R =150KΩ 、R =150KΩ、 3 CC 1 2 R =Ω、R =2KΩ、R =10KΩ、β=100、C =C =C =10μF、C =5PF(即 C ) 、 f =100MH 、V = 、 C e L r =200Ω， 1 2 3 μ bc T Z BE bb’ 试求： 放大电路的 Q 点参数； 画出交流小信号等效电路， 求 A , R V i , R 的值； O 求电路上限频率 f ； H 若 C 2 断开，将对 Q 点， A V , R , R i O 产生何种影响 3、（10 分）OCL 功率放大电路如图，其中A 为理想运放。 已知V CES 1 ? V VCES 2 ? 1V ，R =8Ω。 L （1）求电路最大输出功率P OMAX （ 2 ） 求电路电 压放大倍数 OA ? V = O V V i （3）简述 D 、D 的作用 1 2 4、（10 分）判断如图电路中A1、A2 各是什么单元电路，简述整个电路的工作原理，并定性 地作出 V ，V 处的波形。D ，D 的稳压值均为 V （注：各运放为理想运放，已加电）. O1 O2 Z1 Z2 Z 5、（10