高通量体外三维组织培养芯片.pdfVIP

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  • 2023-08-19 发布于四川
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本申请实施例公开了一种高通量体外三维组织培养芯片,包括接头以及依次堆叠设置且依次密封连接的连接层、第一培养层、第二培养层以及封闭层,连接层与接头连接且连通,封闭层用于封闭第二培养层;高通量体外三维组织培养芯片包括多个沿第一方向间隔排布的培养组以及沿第一方向间隔排布多个除气泡结构,每组培养组包括多个沿第二方向排布且相互连通的多个培养单元,培养单元构设于第一培养层以及第二培养层,除气泡结构与培养组一一对应连通,利用多个培养组以及每一培养组中的多个培养单元,可以实现高通量、大规模、规范化的培养。

(19)国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 219546982 U (45)授权公告日 2023.08.18 (21)申请号 202320138665.3 (22)申请日 2023.01.20 (73)专利权人 江苏艾玮得生物科技有限公司 地址

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