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- 2023-08-19 发布于四川
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本实用新型涉及一种低功耗高容量的混合封装结构，包含基板，基板上设置有控制器、第一小容量内存芯片和第二小容量内存芯片；控制器、第一小容量内存芯片和第二小容量内存芯片的顶部设置有第一大容量内存芯片，第一大容量内存芯片上垂直堆叠有第二大容量内存芯片；第二大容量内存芯片的上侧阶梯堆叠有多层闪存芯片；本方案将内存、闪存和控制器集成在一个封装体内，小容量的利用传输速率更快的倒装焊技术，大容量内存利用超低线弧的埋线技术，不同芯片不同工艺的垂直堆叠技术等；以此突破了现有内存普遍小的的技术壁垒，能够实现大容量，低
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 219553626 U
(45)授权公告日 2023.08.18
(21)申请号 202320046477.8
(22)申请日 2023.01.09
(73)专利权人 太极半导体（苏州）有限公司
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