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本发明涉及覆铜陶瓷基板制备技术领域，提供了一种带引线框架的覆铜陶瓷基板的制备方法，使用铜的氧化烧结来替代焊料烧结，将铜材质的引线框架进行干法热氧化处理实现单面氧化，与覆铜陶瓷基板表面铜材引脚焊接区域对位接触。在1065～1083℃下铜氧化层会产生铜氧共晶液相，并施加一定压力使引线框架与覆铜陶瓷基板的通过液相能够充分接触烧结在一起。以这种方式将引线框架直接预制在覆铜陶瓷基板上，可减少传统回流焊造成的内部应力问题，同时减少模块封装工序，提高引线框架与基板之间的焊接可靠性。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116613073 A
(43)申请公布日 2023.08.18
(21)申请号 202310501284.1
(22)申请日 2023.05.06
(71)申请人 上海富乐华半导体科技有限公司
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