(17)--2.7_3模拟电子技术课件.pdfVIP

晶体管的混合π型高频等效模型 混合π模型问题的提出 混合π模型的建立 混合π模型的简化 混合π模型的主要参数 一、混合π模型问题的提出 PN结结电容的影响： 在低频和中频情况下，信号频率较低，晶体管的PN结极间 电容的容抗很大，而结电容很小，两者并联时，可以忽略 极间电容的作用； 而在高频情况下，晶体管的极间电容的容抗变小，与其 结电阻相比，影响就不能被忽略了。  的影响： 因 值随频率升高而降低 结论：高频下不能采用h 参数等效电路 【问题引导】什么是混合π模型？ 如何建立晶体三极管的混合π模型 二、混合 型的建立 I c 晶 体 管 结 构 示 意 图 反映了三极管 的结构 C  —集电结结电容 b c I c C  —发射结结电容 b e r —集电区体电阻 c r —发射区体电阻 e r  —基区体电阻 bb r   —集电结结电阻 b c r   —发射结结电阻 b e I r  r    r  r   c b c b c c b c r  r    r  r   b e b e e b e C =C , C =C b’c μ b’e π c r bc