偏压应力诱导的有机薄膜晶体管电流不稳定性的机制研究的中期报告.docxVIP

偏压应力诱导的有机薄膜晶体管电流不稳定性的机制研究的中期报告 摘要： 偏压应力是有机薄膜晶体管（OTFT）中普遍存在的一种应力形式，它对OTFT的电性能造成不可回避的影响，表现为电流漂移、电流降低、亚阈值摆动等现象。为探究这一现象的机制及其对OTFT性能的影响程度，本文采用了实验和理论相结合的方法，通过制备针对性的OTFT样品进行相应的测试和分析。实验结果表明，偏压应力导致的电流漂移主要是由对OLED薄膜的压电效应以及空穴传输层中固有的多孔性所引起的。在偏压应力下，OLED薄膜中的压电效应会导致多个晶体管的漏电流连续变化，进而导致OTFT的整体电流漂移。空穴传输层中多孔性的存在，则导致空穴的跃迁不稳定，使得OTFT的电流性能发生不可预测的变化。此外，本文还通过建立OTFT的物理模型和数学模型，对不同的偏压应力模式下，OTFT的电性能做了深入的理论研究。 关键词：偏压应力；有机薄膜晶体管；电流漂移；电流降低；亚阈值摆动 Abstract: Bias stress is a common form of stress in organic thin-film transistors (OTFTs), which has an inevitable impact on the electrical properties of OTFTs, manifested as current dr