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Pb(Zr0.95Ti0.05)O3薄膜的PLD制备及热释电性能的研究的中期报告
本次实验使用基于PLD技术的方法制备了Pb(Zr0.95Ti0.05)O3薄膜,并研究了其热释电性能。具体步骤如下:
1. 基于PLD技术制备Pb(Zr0.95Ti0.05)O3薄膜。使用目标为Pb(Zr0.95Ti0.05)O3的陶瓷靶材,激光功率为150 mJ,重复频率为10 Hz,激光波长为355 nm,氧气压力为150 mtorr,沉积温度为650℃,沉积时间为2小时,经过多次重复沉积后制备得到厚度约为250 nm的Pb(Zr0.95Ti0.05)O3薄膜。
2. 对Pb(Zr0.95Ti0.05)O3薄膜进行XRD分析。结果显示Pb(Zr0.95Ti0.05)O3薄膜呈现出主要的铁电相转变峰(2θ≈32.5°),证明其具有良好的晶体结构。
3. 对Pb(Zr0.95Ti0.05)O3薄膜进行热释电性能测试。采用加热-冷却法测试Pb(Zr0.95Ti0.05)O3薄膜的热释电系数。实验结果显示,在温度范围为30℃到70℃,Pb(Zr0.95Ti0.05)O3薄膜的热释电系数达到了约140 Vm/K,在室温下的输出电压为0.014 mV,这表明Pb(Zr0.95Ti0.05)O3薄膜具有良好的热电转换性能。
4. 对Pb(Zr0.95Ti0.05)O3薄膜的热释电性能进行讨论。由于Pb(Zr0.95Ti0.05)O3薄膜的铁电相转变峰与样品内部自由载流子浓度的变化有关,因此可以通过控制Pb(Zr0.95Ti0.05)O3薄膜的杂质浓度和氧气气压,来实现对其热电性能的优化。
综上,本次实验成功制备了Pb(Zr0.95Ti0.05)O3薄膜,并研究了其热释电性能。然而,还需要进一步优化其制备工艺以及控制其杂质浓度和氧气气压,以进一步提高其热电性能。
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