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- 2023-08-23 发布于四川
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一种通过多次成膜避免短接的阵列基板的制造方法，包括：在玻璃基板上形成TFT器件，所述TFT器件的绝缘层均采用的是SiOx，并在所述TFT器件上方形成相应的有机平坦层，所述有机平坦层上形成第一绝缘层；图案化出公共电极层；在所述公共电极层上采用PECVD方式沉积一层第二绝缘层作为像素电容，所述第二绝缘层分两次成膜，第一次成膜SiOx绝缘层，第二次成膜SiNx绝缘层，第二次干蚀刻第二绝缘层进行图案化，蚀刻掉未被SiNx保护的下方SiOx。本发明的绝缘层变更膜质搭配，并分两次曝光显影蚀刻，避开同一位置的
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116631945 A
(43)申请公布日 2023.08.22
(21)申请号 202310228567.3
(22)申请日 2023.03.10
(71)申请人 华映科技（集团）股份有限公司
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