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一种半导体器件及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-08-23 发布于四川
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一种半导体器件及其制备方法.pdf

    本发明提供一种半导体器件及其制备方法，所述方法包括：提供衬底，在衬底上形成外延层；在外延层上形成栅极介电层，在栅极介电层上形成间隔设置的伪栅极结构；执行第一离子注入，以在外延层中形成第一导电类型阱区；在伪栅极结构的侧壁形成侧墙，执行第二离子注入，以在第一导电类型阱区中形成第二导电类型源区；形成覆盖栅极介电层的介电材料层；去除伪栅极结构；在侧墙的侧壁形成隔离层，执行第三离子注入，以在外延层中形成JFET区。本发明的方法能够有效地降低二次光刻带来的套刻精度偏差，进而保证参数的稳定性，而且可以选择低能

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116631874 A (43)申请公布日 2023.08.22 (21)申请号 202310240166.X (22)申请日 2023.03.07 (71)申请人 中芯越州集成电路制造（绍兴）有限

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