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切换场板功率MOSFET.pdfVIP

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  • 2023-08-23 发布于四川
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切换场板功率MOSFET.pdf

    本申请公开一种功率MOSFETIC器件(100)，其包括形成在半导体衬底(105)中的源极向下增强型晶体管(133)以及形成在半导体衬底(105)的掺杂区(129)中的耗尽型晶体管(131)。耗尽型晶体管(131)的栅极端子(115B)在掺杂区(129)的至少一部分上方形成为场板，该场板可切换地连接到源极向下增强型晶体管(133)的源极端子(127)。可提供控制电路(602、604、606)，以便当功率MOSFET集成电路(100)处于断开状态时有助于耗尽型晶体管(131)的栅极端子(115B

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 107871738 A (43)申请公布日 2018.04.03 (21)申请号 20171

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