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- 2023-08-23 发布于四川
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提供一种特性能够提高的半导体装置的制造方法。根据实施方式，半导体装置的制造方法包括：在包含氧的第一气氛中对第一膜实施500℃以上且900℃以下的第一温度的第一热处理，该第一膜沉积在包含碳化硅的半导体部件上且包含硅及氧。所述制造方法包括：在所述第一热处理之后，在包含氮的第二气氛中对所述第一膜实施1200℃以上且小于1400℃的第二温度的第二热处理。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 108878276 A
(43)申请公布日
2018.11.23
(21)申请号 20181
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