数电半导体存储器和可编程器件详解演示文稿.pptVIP

EPROM集成电路 AT27C010， 128K′8位ROM 读操作时的工作电压5V 编程操作时的工作电压13V 输出使能 信号 片选 信号 编程选通 信号 控制信号均为低电平有效！ ※ * 当前第30页\共有53页\编于星期日\2点 工作模式 A16 ~ A0 VPP D7 ~ D0 读 0 0 X Ai X 数据输出 输出无效 X 1 X X X 高阻 等待 1 X X Ai X 高阻 快速编程 0 1 0 Ai VPP 数据输入 编程校验 0 0 1 Ai VPP 数据输出 表7.1.3 工作模式 片选 信号 输出使能 信号 编程选通 信号 说明：EPROM的数据写入均由专用或通用编程器完成。 ※ * 当前第31页\共有53页\编于星期日\2点 ROM的读操作与时序图 （2）加入有效的片选信号 （3）使输出使能信号 有效，经过一定延时后，有效数据出现在数据线上； （4）让片选信号 或输出使能信号 无效，经过一定延时后数据线呈高阻态，本次读出结束。 （1）欲读取单元的地址加到存储器的地址输入端； ※ * 当前第32页\共有53页\编于星期日\2点 9.3 存储器容量的扩展（P296-299） 当一片RAM(或ROM)不能满足存储容量位数(或字数)要求时，需要多片存储芯片进行扩展，形成一个容量更大、字数位数更多的存