MOCVD反应器数学模型的建立.docxVIP

摘 要 半导体科技在当今社会的运用非常广泛，小至微电子器件，大至航天飞机领域皆有涉略,同时GaN也因其优异的特性而被视为第三代半导体中重要的材料而被广泛关注着。金属有机物化学气相沉积（MOCVD）是当今最先进的制备半导体的方式，具有非常大的前景和市场需求。而研究设备的反应室是生长高质量GaN薄膜的关键，本次论文主要研究反应器的不同的操作参数和几何参数以求出最佳输运路径。利用计算机的FLUENT软件对反应室进行二维数学建模仿真分析。 本次论文分析了反应室的压强、进口的流速、反应室上壁面的温度和基片温度对反应室内流场和温度场的影响。研究发生，保持其他的条件不变，改变某一变量，反应室的温度场和速度场