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University of Science and Technology of China 第七章：PN结 第七章 P N 结第七章 P N 结 §1 PN结的基本物理概念 §2 PN结的电流电压特性 §3 PN结的电容效应 §4 PN结的隧道效应 §5 PN结的光生伏特效应 P N 结—— 半导体器件基本结构之一 半导体器件主要60种，还有100个相关 的变种，但都是由少数的几个基本结构构成： ❖PN结 ❖M/S金半结 （金属半导体接触） ❖MOS(MIS)结构 （金属-绝缘体-半导体） ❖异质结 的撒旦 § 1 P N 结的基本物理概念 (1) PN结的分类 (2) PN结的制作工艺 (3) PN结的基本概念 (4) PN结的热平衡条件 P N 结的分类 P N 结的分类 ❖PN结的形成 ♦控制同一块半导体的掺杂，形成PN 结 （合金法; 扩散法; 离子注入法等）。 ♦在p(n) 型半导体上外延生长n(p)型半导体。 ❖ 同质结和异质结 ♦由导电类型相反的同一种半导体单晶材料组成的PN 结—同质结 ♦由不同的半导体单晶材料组成的结—异质结 P N 结的分 P N 结的制作工艺类 ❖工艺简介: ♦合金法—合金烧结方法形成pn结 ♦扩散法—高温下热扩散，进行掺杂 ♦离子注入法—将杂质离子轰击到半导体基片中掺杂分布主要由 离子剂量和注入离子的能量决定 （典型的离子能量是30- 11 16 2 300keV，注入剂量10 -10 离子数/cm ），用于形成浅结。 ❖PN结根据杂质分布的特点可分为: ♦突变结：交界面处掺杂突变，正负电荷密度在结附近突变，适用 于离子注入浅结扩散和外延生长，X 1um； j ♦线性缓变结：交界面处掺杂缓变，正负电荷密度在结附近线性变 化，适用于深结扩散，X 3um。 j 6 P N 结的制作工艺 7 P N 结的制作工艺 离子注入 扩散 8 P N 结的基本概念 ①空间电荷区: ♦ 在结面附近, 由于存在载流子浓度梯 度，导致载流子的扩散。 ♦ 扩散的结果: 在结面附近，出现静电 荷分布-- 空间电荷( 电离施主, 电离受主) 。 ♦ 空间电荷区中存在电场-- 内建电场， 内建电场的方向: n→p。在内建电场作 用下，载流子要作漂移运动，阻碍扩散。 内建电场 9 能带图 ②热平衡pn 结及其能带图: ♦当无外加电压，载流子的流动终将达 到动态平衡(漂移运动与扩散运动的效果 相抵消，电荷没有净流动) ，pn 结有统一