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- 2023-08-25 发布于四川
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本实用新型公开了一种生长砷化镓单晶的温控炉,包括温控炉本体,所述温控炉本体的内壁安装有保温罩,所述保温罩的内腔设置有坩埚和石墨加热器,所述坩埚的底部设置有放置架,所述放置架由两个弧形固定杆和一个固定环连接组成,所述放置架的内侧开设有限位槽,所述坩埚的外侧设置有限位条块,所述放置架的底部通过连接部与托杆的顶端相连,所述托杆的底端贯穿所述温控炉本体的下表面,并与旋转系统相连。综上所述,本实用新型的有益效果在于:通过放置架大大减少坩埚与放置架之间的接触面积,便于石墨加热器直接对坩埚的底部进行加热,提高
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 210215611 U
(45)授权公告日
2020.03.31
(21)申请号 20192
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