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电子技术基础(模拟篇) 第一章半导体二极管 一、单项选择题 1. 当温度高升时，二极管正向特征和反向特征曲线分别（ ）。 A. 左移，下移 B. 右移，上移 C. 左移，上移 D. 右移，下移 2. 在PN结外加正向电压时，扩散电流 漂移电流，当 PN结外加反向电压时，扩散电流 漂 移电流。 A. 小于，大于 B. 大于，小于 C. 大于，大于 D. 小于，小于 3. 设二极管的端电压为 ，则二极管的电流方程为（ ） U A.ISeU B. IeUUT C. I(eUUT－1)D. ISeUUT－1 S S 4. 以下符号中表示发光二极管的为（ ）。 A B C D 5. 稳压二极管工作于正常稳压状态时，其反向电流应知足 ( )。 A.ID=0B.I DIZ且IDIZMC.I ZIDIZM D.IZIDIZM 6. 杂质半导体中（ ）的浓度对温度敏感。 A. 少子 B. 多子 C. 杂质离子D. 空穴 7. 从二极管伏安特征曲线能够看出，二极管两头压降大于（ ）时处于正偏导通状态。 A.0B. 死区电压 C. 反向击穿电压 D. 正向压降 8. 杂质半导体中多半载流子的浓度主要取决于（ ）。 A. 温度 B. 混杂工艺 C. 混杂浓度 D. 晶体缺点 9. PN结形成后，空间电荷区由（ ）构成。 A. 电子和空穴 B. 施主离子和受主离子 C. 施主离子和电子 D. 受主离子和空穴 10. 硅管正偏导通时，其管压降约为（ ）。 A B C D 11. 用模拟指针式万用表的电阻档丈量二极管正向电阻，所测电阻是二极管的 电阻，因为不 同量程时经过二极管的电流，所测得正向电阻阻值。 A.直流，相同，相同B.沟通，相同，相同 C.直流，不一样，不一样D.沟通，不一样，不一样 12.在25oC时，某二极管的死区电压Uth≈，反向饱和电流IS≈，则在35oC时，以下哪组数据可能 正确：（  ）。 AUth≈，IS≈  BU  th≈，IS≈ CUth≈，IS≈  DU  th≈，IS≈ 二、判断题 1. PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。 （ ） 2. 二极管在工作电流大于最大整流电流 IF时会破坏。 （ ） 3. 二极管在工作频次大于最高工作频次 fM时会破坏。 （ ） 4. 二极管在反向电压超出最高反向工作电压 URM时会破坏。 （ ） 5. 在N型半导体中假如掺入足够量的三价元素，可将其改型为 P型半导体。 （ ） 6. 因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。 （ ） 7. 稳压管正常稳压时应工作在正导游通地区。 （ ） 三、填空题 1. 当温度高升时，因为二极管内部少量载流子浓度 ，因此少子漂移而形成的反向电流 ， 二极管反向伏安特征曲线 移。 2. 半导体稳压管的稳压功能是利用 PN结的 特征来实现的。 3. 二极管P区接电位 端，N区接电位 端，称正向偏置，二极管导通；反之，称反向偏置，二 极管截止，所以二极管拥有 性。 4. 在本征半导体中掺入 价元素得N型半导体，掺入 价元素则得P型半导体。 5. PN结在 时导通， 时截止，这类特征称为 。 6. 光电二极管能将 信号变换为 信号，它工作时需加 偏置电压。 7. 发光二极管能将 信号变换为 信号，它工作时需加 偏置电压。 8. 二极管按PN结面积大小的不一样分为点接触型和面接触型， 型二极管合用于高频、小电流的 场合， 型二极管合用于低频、大电流的场合。 9. 二极管反向击穿分电击穿和热击穿两种状况，此中 是可逆的，而 会破坏二极管。 10. 半导体中有 和 两种载流子参加导电，此中 带正电，而 带负电。 11. 本征半导体掺入微量的五价元素，则形成 型半导体，其多子为 ，少子为 。 12. PN结正偏是指 P区电位 N 区电位。 13. 温度高升时，二极管的导通电压 ，反向饱和电流 。 14. 一般二极管工作时往常要防止工作于 ，而稳压管往常工作于 。 15. 构成稳压管稳压电路时，与稳压管串接适合数值的 方能实现稳压。 16. 纯净的拥有晶体构造的半导体称为 ，采纳必定的工艺混杂后的半导体称为 。 17. 在PN结形成过程中，载流子扩散运动是 作用下产生的，漂移运动是 作用下产生的。 18. PN结的内电场对载流子的扩散运动起 作用，对漂移运动起 作用。 19. 发光二极管通以 就会发光。光电二极管的 随光照强度的增添而上涨。 20. 硅管的导通电压比锗管的 ，反向饱和电流比锗管的 。 四、计算剖析题 1. 电路如图（a）、（b）所示，稳压管的稳固电压 Z＝4V， R 的取值适合， I的波形如图（c）所示。 U u O1 O2 的波形。 试分别画出u 和u V R uI/V + + + + 6 uI RuO1 uI V uO2 － － －