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一种提高氮化镓器件电子迁移率的结构.pdfVIP

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  • 2023-08-26 发布于四川
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一种提高氮化镓器件电子迁移率的结构.pdf

    本实用新型公开了一种提高氮化镓器件电子迁移率的结构，要解决的是现有氮化镓器件外延层电子迁移率不高的问题。本产品包括衬底、c‑GaN层、i‑GaN层和AlGaNbarrier层，所述衬底位于最底层，衬底的上部设置有AIN缓冲层，AIN缓冲层的上部设置有AlGaN缓冲层，AlGaN缓冲层位于c‑GaN层的下方，i‑GaN层位于c‑GaN层的上方，AlGaNbarrier层位于i‑GaN层的上部，i‑GaN层和AlGaNbarrier层之间设置有AlNspacer层，AlGaNbarrier

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 210224041 U (45)授权公告日 2020.03.31 (21)申请号 20192

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