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本公开涉及一种存储单元、存储阵列及存储阵列的形成方法。所述存储单元包括：第一晶体管，所述第一晶体管包括第一栅极、第一沟道层，以及第一源极区和第一漏极区，其中，所述第一栅极包括并列设置的顶部栅极和底部栅极，所述第一沟道层分别环绕所述顶部栅极和所述底部栅极的多个表面；第二晶体管，位于所述第一晶体管上方，所述第二晶体管包括存储节点，所述顶部栅极电连接所述存储节点。本公开提高了半导体结构的存储密度，改善了具有2T0C结构的半导体器件的性能。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116648061 A
(43)申请公布日 2023.08.25
(21)申请号 202310688260.1
(22)申请日 2023.06.09
(71)申请人 长鑫存储技术有限公司
地址 23
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