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本发明提供一种深沟槽的填充方法，包括提供衬底，在衬底上淀积形成一层硬掩膜层，然后再涂布光刻胶，曝光显影之后光刻胶具有深沟槽刻蚀的图案；在图案化的光刻胶定义下对硬掩膜层进行刻蚀，将光刻胶的图案转移到硬掩膜层上，然后去除光刻胶；以硬掩膜层为遮挡，对衬底进行刻蚀，在衬底中刻蚀形成深沟槽；采用HDP工艺淀积填充深沟槽的氧化层直至氧化层高于硬掩膜层；采用与上述不同淀积溅射比的HDP工艺继续淀积以形成表面平缓的氧化层；将深沟槽进行平坦化处理。本发明将一步淀积改为两步不同淀积溅射比的HDP淀积工艺，在满足填充
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116646302 A
(43)申请公布日 2023.08.25
(21)申请号 202310686310.2
(22)申请日 2023.06.09
(71)申请人 华虹半导体（无锡）有限公司
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