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SiC行业深度报告SiC东风已来 （报告出品方/作者：东吴证券，周尔双、刘晓旭、李文意） SiC行业概况：第三代半导体材料性能优越，新能源车等场景助推SiC回调 第三代半导体材料具备宽带隙，适用于于于高温、高频、高功率器件 第一代半导体（间接提着隙窄带隙）：1950年至，以硅（Si）为代表的半导体材料替代了小巧的电子管，推动了 以集成电路为核心的微电子产业快速发展。硅材料属于间接提着隙（电子光子至导带时仍须出现发生改变动量，光利用率 低）且提着隙狭窄（不耐压），适用于于于扰动、低频、中功率集成电路，在光电子领域和高频高功率器件方面受到限制。 第二代半导体（轻而易举提着隙窄带隙）：1990年至，以砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）为代表的半导体材料显露出 头角，属于轻而易举带隙且具有相对宽的带隙，载流子速度更慢、噪音更高。其适用于于于制作高速、高频、大功率以 及闪光电子器件，但受限于材料本身，难以满足用户更高功率、更高电压、更高频率的器件市场需求。 第三代半导体（轻而易举提着隙宽带隙）：近年来，以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）为代表的半导体材料备受第一关 附注，轻而易举提着隙宽带隙的物理特性并使其具有更高热导率（2倍+）、高击穿场强（~10倍）、高饱和状态电子漂移速率 （~2倍）等优点，适用于于于制作高温、高频、高功率器件，在国防、新能源汽车、光伏储能等领域存广泛应用