一种气相生长ZnTe单晶体的装置.pdfVIP

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  • 2023-08-29 发布于四川
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本实用新型公开了一种气相生长ZnTe单晶体的装置及方法,该装置包括:加热炉,延轴向依次包括恒温区和线性降温区,所述加热炉具有贯通所述两个温区的炉腔;石英管,安置在所述加热炉的炉腔中且二者能够沿炉腔轴向相对移动;组合石英舟,由主舟、料舟和长晶套管组成。该装置具有第一工作状态和第二工作状态,在所述第一工作状态时,所述主舟与长晶套管分离,抽石英管内气压至10‑5Pa然后冲入氩气。在所述第二工作状态时,主舟与长晶套管由石英磨砂连接,主舟内形成密闭空间,加热料舟至目标温度,控制加热炉以一个与晶体生长速率相

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 210262080 U (45)授权公告日 2020.04.07 (21)申请号 20192

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