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本发明提出一种半导体紫光紫外发光二极管，包括从下至上依次设置的衬底、n型半导体、超晶格层、量子阱层、电子阻挡层和p型半导体，所述超晶格层与量子阱层之间设置有电子匹配层，所述量子阱层与电子阻挡层之间设置有空穴匹配层，所述超晶格层、电子匹配层、量子阱层和空穴匹配层组成电子空穴匹配控制层，所述电子空穴匹配控制层具有Si掺杂浓度变化趋势和Mg掺杂浓度变化趋势，所述超晶格层具有Al组分梯度和厚度梯度。本发明通过控制注入量子阱层的电子浓度和增强注入量子阱层的空穴浓度，以提升量子阱层中电子和空穴浓度的匹配程度
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116666513 A
(43)申请公布日 2023.08.29
(21)申请号 202310782298.5
(22)申请日 2023.06.29
(71)申请人 安徽格恩半导体有限公司
地址 2
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