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- 2023-08-30 发布于四川
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本发明涉及一种钙钛矿电池组件及制备方法,该制备方法包括如下步骤:钙钛矿半干膜制备步骤:使钙钛矿墨水在第一电荷传输层上形成钙钛矿湿膜,然后使所述钙钛矿湿膜进行低温预结晶,得钙钛矿半干膜;其中,所述低温预结晶的温度为30~55℃、时间为1‑10min;激光划刻步骤:在所述钙钛矿半干膜上进行激光划刻,得带有激光划刻凹槽的钙钛矿膜。本发明在制备钙钛矿电池组件的过程中,先通过低温预结晶制得钙钛矿半干膜,然后在钙钛矿半干膜上进行激光划刻,能有效降低激光刻蚀工艺对钙钛矿薄膜的损伤,从而有效提升器件的效率和长期
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116669506 A
(43)申请公布日 2023.08.29
(21)申请号 202310436470.1 H10K 71/20 (2023.01)
(22)申请日 2023.04.
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