半导体镀膜工艺_4.pptxVIP

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镀膜工艺;基本概念;真空;1.真空的定义 真空的含义是指在给定的空间内低于一个大气压力的气体状态,是一种物理现象。;2.真空的计量单位;3.真空区域的划分;4.如何产生真空;5.使用真空的目的;等离子体;1.什么是等离子体;2.常见的等离子体 日常生活中遇到的闪电和极光,太阳,日光灯等都是等离子体;3. 等离子体的产生;4.气体分子数与离化几率的关系;5. 等离子体的特点;6. 等离子体在半导体中的应用;物理成膜;蒸镀沉积过程 蒸发或升华。通过一定加热方式使被蒸发材料受热蒸发或升华,由固态或液态变成气态。 输运到衬底。气态原子或分子在真空状态及一定蒸气压条件下由蒸发源输运到衬底。 吸附、成核与生长。通过粒子对衬底表面的碰撞,衬底表面对粒子的吸附以及在表面的迁移完成成核与生长过程。是一个以能量转换为主的过程。;2. 蒸镀;1.溅射镀膜;磁控溅射是在溅射镀膜的基础上增加磁性偏转,增加束缚电子运动路径,提高气体的离化率,实现溅射镀膜效率的提高 主要应用在制备高附着力、同时对轻微原子损伤无要求的膜;4.脉冲激光沉积PLD;第四章 简介分子束外延MBE;镀膜方式的对比;化学沉积;履带式APCVD装置;LPCVD装置示意图;3.等离子化学沉积PECVD;4.有机金属化学沉积MOCVD;5.原子层沉积ALD;热氧化;电镀

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