一种SGT MOS工艺TVS器件及其制造方法.pdfVIP

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2023-08-30 发布于四川
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一种SGT MOS工艺TVS器件及其制造方法.pdf

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本发明提供了一种SGTMOS工艺TVS器件及其制造方法，其中TVS器件包括：第一导电类型的衬底和形成在衬底上的同质外延层；元胞区中形成有MOS管，触发区中形成有TVS管，TVS管为二极管结构，二极管的P区和N区通过对硅进行掺杂形成，且P区和N区横向设置；元胞区及元胞区至触发区包括：形成在外延层中的第二导电类型的基区，形成在基区的第一导电类型的源区、第二导电类型的体区，形成在外延层中的相互隔离的第一多晶硅和第二多晶硅；源区构成MOS管的源极，衬底作为MOS管的漏极，第二多晶硅构成MOS管的栅极和

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116666377 A (43)申请公布日 2023.08.29 (21)申请号 202310512024.4 (22)申请日 2023.05.08 (71)申请人上海晶岳电子有限公司地址 20