典型全控型电力电子器件.pptxVIP

典型全控型电力电子器件;第一节 门极可关断晶闸管(GTO);GTO的外形图;2．工作原理;二、GTO的特性与主要参数;2．GTO的主要参数;三、GTO的驱动与保护;2．GTO的驱动电路;3．GTO的保护电路;第二节 电力晶体管(GTR);电力晶体管的外形图;2．工作原理;二、电力晶体管的特性与主要参数 1. GTR的基本特性 (1)静态特性 共发射极接法时，GTR的典型输出特性如图4-8所示，可分为三个工作区： ① 截止区。在截止区内，iB≤0，uBE≤0，uBC＜0，集电极只有漏电流流过。 ② 放大区。iB ＞0，uBE＞0，uBC＜0，iC =βiB。;(2)动态特性;2．GTR的参数;3．二次击穿和安全工作区;图4-10;三、电力晶体管的驱动与保护;(2)基极驱动电路;3．GTR的保护电路;第三节 电力场效应晶体管(Power MOSFET);电力MOSFET的外形图;2．电力MOSFET的工作原理;二、电力MOSFET的特性;二、电力MOSFET的特性;2．输出特性;3．开关特性;2．电力MOSFET的主要参数;三、电力MOSFET的驱动与保护;三、电力MOSFET的驱动与保护;小结;第四节 绝缘栅双极晶体管(IGBT);IGBT的外形图;二、工作原理;三、1GBT的基本特性;三、1GBT的基本特性;三、1GBT的基本特性;四、主要参数;五、IGBT的擎住效应和安全工作区;六、IGBT的驱动;六、IGBT的驱动;七、 IGBT保护;第五节 其他新型电力电子器件;二、MOS控制晶闸管(MCT);二、MOS控制晶闸管(MCT);三、静电感应晶体管SIT;静电感应晶体管SIT的控制;四、静电感应晶闸管SITH;静电感应晶闸管SITH的特点;五、功率集成电路PIC;1．PIC的典型构成;2．PIC的分类与发展;3．SPIC的基本功能;六、智能功率模块(1PM);1.IPM的结构;IPM有4种功率电路结构类型;2. IPM的保护功能图;IPM的保护功能说明;本章小结;第60页/共66页;总结;工作频率由高到低;功率一览表;通态压降;总览表;感谢观看！