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光辅助电化学刻蚀法制备深宽比微通道板阵列结构 0 深刻化硅微通道技术 微通道板（mcp）作为图像设备的核心，具有高增益、功耗、长寿命等优点。广泛应用于成像增强装置、模拟器、光刻定位器和高速电极微波管的应用。微通道板经历了传统的准传统银粉玻璃微通道板和硅微通道板的发展。作为每个世代的技术，微通道板的结构和生产工艺都起着决定性的作用，比如大坝。 传统的微通道板主要用玻璃材料经过拉丝获得,周期性差,其所能达到的最小通道直径以及通道中心距、开口面积等都受到很大限制,影响其特性参量,使用严重受限.硅的微通道结构作为第三代微通道板的核心部分,因其特殊的结构在很多领域得到了发展. 20世纪90年代初,美国伽利略电子-光学公司提出采用单晶硅材料,利用先进的半导体器件制造工艺和微米/纳米加工技术研制硅微通道板的设想.与传统工艺相比,新工艺可将基底材料与打拿极材料、微孔阵列与连续打拿极工艺分开,解决传统玻璃基MCP多纤维拉制和氢还原处理相互牵制的矛盾.高深宽比硅基深孔阵列的制作涉及到硅材料的深刻蚀,与硅的微细加工等技术密切相关.1999年12月美国纳米科学公司报告在N型Si上制作出微通道阵列.2002年纳米科学公司报道已研制出孔径6μm,中心距8μm,孔深300μm的硅通道阵列样品,单片增益达104以上. 国内的华东师范大学、长春理工大学和北方夜视等单位也一直开展这些方面的研究,至今尚未见大面积MC