电导率和载流子迁移率.pptVIP

在洛仑兹力FB 的作用下，带正电的载流子沿-y 方向偏转，由于样品的尺寸有限，载流子在边界堆积起来，产生一个与FB 相反的电场力FE。当这两个力相平衡时，在A、B 两侧产生一个稳定的霍尔电位差VH，这样形成的电场称为霍耳电场EH 。 当前第30页\共有55页\编于星期三\5点 霍尔系数和霍尔迁移率 霍耳电场的大小是与电流密度j和磁场B的乘积成正比的，可写成 式中的比例系数RH 叫做霍耳系数。若电流是均匀的，电流密度可表为j = I / wd， 霍耳电场与霍尔电压的关系 W为霍耳电压电两端的距离。 当前第31页\共有55页\编于星期三\5点 式中各量单位为I（安培）、 （伏特）、d（厘米）、B（高斯）、 霍尔系数物理意义：单位磁感应强度对单位电流强度所能产生的最大霍耳电场强度。 当前第32页\共有55页\编于星期三\5点 在考虑霍尔效应时，由于载流子沿y 方向发生偏转，造成在x 方向定向运动的速度出现统计分布。在考虑电导迁移率μ = v /E 时，应采用速度的统计平均结果 ，由此得到： ，这样引入的迁移率 称为霍尔迁移率。 当前第33页\共有55页\编于星期三\5点 稳态时，y 方向的电场力与洛伦兹力相抵消，故有 当前第34页\共有55页\编于星期三\5点 p型半导体霍尔系数的表达式： 当前第35页\共有55页\编于星期