X射线光电子能谱基础知识.ppt

深度分析--------变角XPS（Angle resolved XPS） 即随着光电子出射角的变化，取样深度也随之变化，此技术常用于研究薄膜与基片的界面相互作用 图 PTFE的C1s XPS谱 表面清洁的PTFE (θ=0°); b. 表面含污染碳的PTFE (θ=0°); c. 表面含污染碳的PTFE (θ=75°) 图 SiO2/Si片的Si2p XPS谱 深度分析---Ar+溅射， -----常用于研究薄膜与基片的界面相互作用 择优溅射问题 离子溅射 还原效应问题 表面粗糙度问题 应选用低能离子束，大面积、长时间的刻蚀尽量在制备室内进行 五、注意事项---X射线照射可能破坏某些样品 五、注意事项---绝缘体或半导体的荷电效应 e h? 克服荷电效应的方法 把样品制成尽可能薄的薄片 把非导电样品与导电样品紧密混合 在样品表面蒸镀极薄的导电层 在样品室安装低能电子中和枪 校正方法 利用样品中某些元素的已知结合能作内标。 利用污染碳C1s结合能做内标 (C1s：Eb=284.8eV) 在样品表面蒸镀Au或Pt等元素 （Au4f7/2:Eb=84.0eV, Pt4f7/2:Eb=71.1eV) 注入Ar作内标： （Ar2p3/2：Eb=241.3 eV） 1.Ｘ射线源 双阳极X射线源示意图 X射线源 选择依据：本征能量、线宽、 功耗以及制造难易。 ? 射 线 ? 能 量 半峰高宽 (eV) Y M? 132.3 0.44 Zr M? 151.4 0.77 Na K? 1041.0 0.4 Mg K? 1253.6 0.7 Al K? 1486.6 0.8 Si K? 1739.4 0.8 Ti K?1 4511 1.4 Cr K?1 5415 2.1 Cu K?1 8048 2.5 常用双阳极组合-Mg/Al ? X射线 Mg 靶 Al 靶 能量(eV) 相对强度 能量(eV) 相对强度 K?1 1253.7 67.0 1486.7 67.0 K?2 1253.4 33.0 1486.3 33.0 K?’ 1258.2 1.0 1492.3 1.0 K?3 1262.1 9.2 1496.3 7.8 K?4 1263.1 5.1 1498.2 3.3 K?5 1271.0 0.8 1506.5 0.42 K?6 1274.2 0.5 1510.1 0.28 K? 1302.0 2.0 1557.0 2.0 理想光源：能量连续可调的同步辐射光源。优点：单色性好、能量连续可调、强度高，而且可使XPS的空间分辨率达100 nm 将X射线用精细加工的表面椭圆状弯曲的石英晶体沿Bragg反射方向衍射后便可使X射线单色化。X射线的单色性越高，谱仪的能量分辨率也越高。 电子能量分析器 电子能量分析器其作用是测量从样品中发射出来的电子动能。它必须在高真空条件下工作即压力要低于10-3帕，以便尽量减少电子与分析器中残余气体分子碰撞的几率。 8.5.3 检测器 检测器：电子倍增器和多通道板 光电子或俄歇电子流 倍增器 电子倍增器是一种采用连续倍增电极表面（管状通道内壁涂一层高阻抗材料的薄膜）静电器件。内壁具有二次发射性能。电子进入器件后在通道内连续倍增，增益可达 109 。 多通道检测器是由多个微型单通道电子倍增器组合在一起而制成的一种大面积检测器，也称位敏检测器（PSD）或多阵列检测器。 真空系统 机械泵+分子泵+钛升华泵 三、谱图解析 谱峰类型：光电子特征峰及其伴峰 ⑴ 振激 ( Shake up ) (2) 振离 ( Shake off ) (3) 能量损失 ( Energy loss ) (4) X射线伴峰 (X-ray satellites ) (5) 多重分裂 (Multiplet splitting ) (6) 俄歇电子 (Auger electron ) 化合态识别-光电子峰化学位移 XPS中化学位移的经验规律 内层电子一方面受到原子核强烈的库仑作用而具有一定的结合能，另一方面又受到外层电子的屏蔽作用。当外层电子密度减少时，屏蔽作用将减弱，内层电子的结合能增加；反之则结合能将减少。因此当被测原子的氧化价态增加，或与电负性大的原子结合时，都导致其XPS峰将向结