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二维材料的泊松比 随着对黑磷研究的深入，发现在单层结构（黑磷烯）的面内施加应力时，其垂直面方向（面外）的泊松比为负值，且这种负泊松比性质在二维电子器件有良好的应用前景。本论文旨在利用第一性原理模拟四种类黑磷结构的IV-VI族化合物（GeS,GeSe,SnS,SnSe）的单层结构在面内应力作用下力学性质的变化，确定它们是否为新的具有负泊松比的二维材料。结果表明：对于单层GeS，面内泊松比为正值1.26；而面外，跟黑磷烯一样，泊松比为负值（-0.08）；更有意思的是，对于单层GeSe，在面内施加应力时，面外泊松比出现了由负到正的转变；而对于单层SnS,SnSe，泊松比均为正，并且单层SnSe面内泊松比最高可以达到0.90。最后，探究并确定了负泊松比的动力学机制，即面内的锯齿链角度和面外扶手椅链角度是出现负泊松比的主导因素。 关键词：泊松比，单层材料，第一性原理计算 引言 随着各类电子器件的微型化，对半导体材料的要求除了基本的要求⑴（带隙合适，载流子迁移率高）外，对其物理性质和化学性质的稳定性及其变化规律也有很严格的要求。对组成小型器件的低维材料的性质进行理论计算是实际应用的一个有效指导，其中第一性原理计算⑵半导体材料的性质更是基于一定实验基础的理论预测材料结构及性质的常用方式。第一性原理计算就是通过特定软件，在能量最低原理的要求下，优化得到稳定晶体结构，再进一步模拟得到这种材料的电学、