电子元器件可靠性HTRB-HTGB介绍.pptxVIP

HTRB HTGB可靠性壽命測試解讀 測試介紹壽命計算異常判定實驗中斷處理各標準的比較業界供應商測試條件建議測試電路測試制定 by ECMEContent 一、HTRB目的：考核产品加上反向偏置到測試樣品的主功耗結，使器件工作在或者靠近最大額定擊穿電壓和/或電流水平的靜態工作模式，在線性工作區域下找出器件的偏壓下影響影響固態器件工作溫度的影響，從而预估器件长期工作的失效率。業界普遍的測試条件：150℃(或使结温等于额定值)，80% BVdss RatingCheck point : 0 / 168 / 500 / 1000 hrs失效机理：高溫下芯片由於應力作用(溫度和電壓)表面和内部的杂质加速反应，暴漏出PN結的非完整性、晶片的缺陷及離子污染等級，使在兩個或是多個PN結之間形成大的漏電流適用料件：All Discrete Device可能的實失效點： Junction/Termination、foreign materials、polar/ionic contaminants 一、HTGB目的：考核产品對柵級偏壓或者零件樣品的其他氧化物加上偏壓，使器件工作在或者靠近氧化物最大額定擊穿電壓水平的靜態工作模式 ，在線性工作區域下找出柵極偏壓對器件和柵氧化層緻密度的影響，從而预估器件长期工作的失效率。業界普遍的測試条件：150℃(或使结温等于额定值)，100% Vgs Ratin