材料科学基础第四章8-2面心立方晶体中的位错.pptVIP

* §4-18 位错反应 Dislocation Reaction 一、定义 由几个位错合成一个新的位错或由一个位错分解为几个新位错的过程，称为位错反应。 二、自发位错反应的条件和判据 1）几何条件： 2）能量条件： * 例：判断下列反应发生的方向： * A B C D x y z B A D D D C Thompson四面体 * 1. 罗-罗向量 : 全位错的柏氏矢量 2. 罗-希向量 : 对应的罗-希向量 : Frank分位错. 不对应的罗-希向量 : Shockley分位错. 3. 希-希向量 : 压杆位错 * 全位错分解为扩展位错的规则： 站在Thompson四面体的外侧顺着位错线的正向看去，左边Shockley分位错的柏氏矢量应为罗-希向量，右边则为希-罗向量。 * 如果在固体表面存在台阶，那么晶体长大所需的过饱和度会减小。 螺位错可以提供这样的生长台阶，并且在生长过程中还不会消失。 * SiC 晶体生长表面的螺位错台阶 * 同质外延 界面 薄膜 基片 异质外延 薄膜/基片界面结构 * 位错的表征 表面法（或蚀坑法） 缀饰法 透射电镜法 X射线衍衬像 场离子显微镜 计算机模拟：位错芯原子组态 * 位错的应用 晶体的实际强度低于理论强度 加工硬化 退火使金属软化 屈服效应与应变时效，科氏气团 合金强化机制： 固溶强化（铃木气团） 沉淀强化（障碍物） * 本章小结 缺陷的分类 点缺陷的基本属性 位错的概念、基本类型、普遍的定义、柏氏矢量 位错的运动 位错的密度与变形速率 位错的应力场、弹性能、线张力 作用于位错上的力 位错与位错、点缺陷的交互作用 位错的起源与增殖 运动的位错：塞积、交割、弯折和割阶的判断 全位错、分位错、扩展位错、压杆位错 位错反应：判断方向 * 推荐的参考书： [1] 《材料科学基础学习辅导》，范群成、田民波主编，机械工业出版社 [2] 《位错理论及其应用》，王亚男等编著，冶金工业出版社 [3] 《位错理论基础》，赵敬世著，国防工业出版社 [4] 《Dislocations and plastic deformation》, Edited by I. Kovacs and L. Zsoldos, Oxford, 1973 [5] 《Dislocations in Solids》, Edited by F.R.N. Nabarro, 1989 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * §4-17 面心立方晶体中的位错 Dislocations in FCC 一、全位错（perfect dislocation） 定义： 柏氏矢量为沿滑移方向的原子间距的整数倍的位错称为全位错。 d: 沿S.D.上的原子间距 当 n = 1 时，能量最低 全位错可以是刃型、螺型或混合型的 * 1 2 3 4 5 6 8 11 10 1 3 2 5 4 7 8 9 10 6 12 11 FCC晶体结构与层间错动 * FCC晶体中的全位错： S.S.：{111}110 滑移面：{111}；攀移面：{110} * {220}面：堆垛次序为ABAB· · ·，相邻两层错动了 {111}面：堆垛次序为ABCABC· · ·，相邻两层错动了 教材p20图1－23 * FCC(220)的堆垛次序是：abababab… 形成位错时不能改变FCC的晶体结构 FCC晶体中的全位错： (220) 全位错的形成主要途径为 插入层 抽取层 滑移 * FCC晶体中全位错滑移时原子的运动： * A A A A A C B A B B b b1 b2 * A C B C 1 3 2 5 4 6 7 8 9 10 12 11 全位错滑移时原子的移动 * 全位错的滑移分为两个步骤. 这可以用矢量表达： 1 2 3 4 5 6 8 11 10 7 8 9 10 11 12 C’ 1 2 4 3 5 6 8’ 10’ 11’ C’’ A C B C * 二、Schckley分位错（partial dislocation） 如果B层上的原子只有一部分滑动了第一步（到达C位置），则滑动了 分位错－－柏氏矢量小于滑移方向上一个原子间距的位错 Schokley分位错－－FCC中位于{111}面上 的分位错 * Edge Schockley partial dislocation 层错 无层错 投影： * FCC {111}112 未滑移 滑移（过渡区） 刃型Shockley分位错 它与孪生有关 （110）投影： (220) * Sch