材料科学基础第四章7-2运动的位错.pptVIP

* §4-16 运动的位错 Dislocation in motion 一、位错的塞积（pile-up） ? ? ? ? ? ? n 个 ?′ Leading disl. 1、位错的塞积： 一列位错在滑移面上运动时被障碍物阻挡而停止运动 * 位错的塞积机制演示图： * ? ? ? ? ? ? n 个 ?′ Leading disl. 2、障碍物对位错塞积群的作用力： ? 位错塞积越多，障碍物的作用力越大 近程力 short-range force * 3、位错塞积的后果： 使位错运动的阻力增大，如要继续滑移，则需要增加应力－－加工硬化 若塞积的位错是刃型的，则 n 足够大时，会出现裂纹 ? ? ? 若障碍物是晶界，则可能引发邻近晶粒内的位错运动 若位错是螺型的，障碍物是沉淀颗粒，则可能引起交滑移（见上一节） 若位错是刃型的，障碍物是沉淀颗粒，变形温度高，则可能引起位错的攀移，晶体软化 * FCC晶体中的双交滑移增殖机制： 位错①向右滑移 遇到障碍 两个②位错(L型) 一个②′位错(割阶) 两个②位错相遇，留下一个空位环，然后合成一个新的①位错，继续向右滑移，相当于位错①绕过障碍物向右滑移 转到I′面上，F－R源 沿I′面滑移 I I′ ① ② ② II ③ A B ②′ 障碍物 * 障碍物 滑移面 滑移面 极轴位错 交滑移面 * 二、障碍物切开（cut-through） 当沉淀物强度较低时，运动的位错可能使障碍物切开 * 三、绕过障碍物（go-round / make-detour） 运动的位错遇到障碍物时，相当于两个L型位错源的作用会绕过障碍物，留下一个位错环。 I ① A B * 四、跨过障碍物（stride over） 运动的位错遇到障碍物时，可能会通过攀移（刃位错）或双交滑移（螺位错），跨过障碍物。 I I′ ① ② ② II ③ A B ②′ 障碍物 * 位错塞积 位错越过障碍物 * * 五、位错的交割（Intersection with other dislocations） 考察对象： 位于两个不同滑移面上的位错相互交割后的形状及运动特点的变化 判断依据： * 1. ?－ ? A B C D A B C D 弯折（kink）：同一滑移面上的位错台阶 A B C D b1 b2 * 1. ?－ ? 割阶（jog）：位于不同滑移面上的位错台阶 刃型位错上的割阶可以与位错一道滑移，一般不影响位错的滑移。 B C D A A B C D A B C D * 2. ?－ S PP’为割阶；QQ’为弯折 * 3. S S － PP’的滑移面 PP’的攀移面 PP’为割阶；QQ’为弯折 螺位错上的刃型割阶是不能随原位错一道滑移的 总结: $ on ⊥ (⊥-⊥ ( // ) ) —— 弯折 (对位错形状没有影响 对进一步滑移没有影响) ⊥ on ⊥ (⊥-⊥ ( ⊥ ) 或 ⊥-$ ) —— 割阶 (能够跟其他位错段继续往前滑移) ⊥ on $ (⊥-$ 或 $-$ ) —— 割阶或弯折 （割阶妨碍该位错继续滑移） * 六、关于割阶（jog） 基本割阶（elementary jog）： 割阶的长度为一个原子间距。对位错运动基本没有影响。 超割阶（superjog）：割阶长度大于一个原子长度 1）短割阶（short jog）：长度为几个原子间距 2）长割阶（long jog）：长度为几十个原子间距 3）中割阶（medium jog）：长度介于短割阶和长割阶之间 PP’的滑移面 PP’的攀移面 * 1）短割阶（short jog）： 螺型位错运动在滑移时有可能曳着短割阶一道运动，而在点阵中留下若干空位。 * 2）长割阶（long jog）： 形成两个同极轴的L型位错源，在不同的滑移面上扫动。 * 3）中割阶（medium jog）： 形成位错偶极子 (dislocation dipole) 残屑（小位错环）debris * * * 作业： 4－17 4－18 4－21 * *