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TFT制程分析之涂胶、曝光、显影 展开全文 这篇文章汇总了涂胶、曝光、显影的基本知识； 先来个大流程图，有个基本了解： 清洗工艺，我们之前的文章有讲过，这个工序基本上不需要太强力的清洁单元（如HPMJ等）。 比如，EUV+BJ+普通喷淋+AK+烘干，即可。 1涂胶 HMDS 因为光刻胶是疏水性的，直接涂覆在亲水性较好的膜层表面上时，光刻胶与基板表面的密着性较差，容易产生涂覆不均的现象。所以在涂覆之前，选择性的涂覆HMDS（六甲基二硅氮烷）。 为什么是选择性涂覆，因为金属膜层（Mo除外）是疏水性的，无需涂覆HMDS。 光刻胶涂覆 一般有旋转涂覆和狭缝（slit）涂覆两种模式，不过现在基本都是Slit模式了。 下面介绍一下常见的Slit模式构造： ①Coating head 狭缝式喷嘴，用于喷涂光刻胶； ②Interference detection bar 在涂覆时，如果平台上有异物，有可能干扰甚至损坏喷嘴。 因此，使用干扰检测单元监视工作台上的情况。如有异常，立刻停止； ③Panel thickness measurement sensor 涂覆前，测量玻璃厚度，根据测量数值，自动补正（非接触式测量）。保证Head和玻璃平行； ④Head　washer nozzle 用于清洗涂覆喷嘴； ⑤Uniformer 涂覆前，Head在转动的滚筒上预喷； ⑥Head height measurement sensor 涂覆过程中，测量并矫正，保证Head同Table水平； ⑦Panel detection sensor 通过横向检测，玻璃上下时，检查有无破损； 光刻胶 组成：感光剂+酚醛树脂+溶剂+添加剂； 光刻胶有正负之分， 正性光刻胶：光刻后的图形与掩膜版相同图形，保留未曝光部分。 负性光刻胶：光刻后的图形与掩膜版相反图形，保留曝光部分。