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- 2023-09-06 发布于四川
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本发明公开了一种钙钛矿量子点/有机半导体单晶异质结晶体管及其制备方法,钙钛矿量子点/有机半导体单晶异质结晶体管包括:栅极、绝缘层、光敏层、有源层、源极和漏极,栅极、绝缘层、光敏层和有源层平行设置且从下至上沿竖直方向连接,源极和漏极平行设置并连接在有源层的上表面,其中,光敏层为Cs2AgBiBr6量子点薄膜,有源层为并五苯单晶。钙钛矿量子点/有机半导体单晶异质结晶体管的制备方法包括以下步骤:在绝缘层上覆盖Cs2AgBiBr6量子点薄膜作为光敏层;将并五苯单晶转移至光敏层的上表面并作为有源层;在有源
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116709789 A
(43)申请公布日 2023.09.05
(21)申请号 202310233785.6
(22)申请日 2023.03.13
(71)申请人 天津大学
地址 300072
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