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稀磁半导体(Ga,Mn)As的磁光性质研究的中期报告 稀磁半导体材料（Ga,Mn）As具有很高的磁性和半导体性质，因此被广泛应用于磁电子器件的制备中。本报告主要介绍了采用光学方法研究（Ga,Mn）As材料的磁光性质的中期进展情况。 首先，我们采用调制磁场光吸收光谱（FM-PCA）技术对（Ga,Mn）As材料进行了表征。我们成功地观察到了局域化的磁激子共振现象和铁磁相变对FM-PCA信号的影响。通过对信号的理论分析，我们提出了一个新的模型来解释这些现象。 其次，我们对（Ga,Mn）As材料的自旋波光谱进行了研究。我们使用不同的激光功率和波长来激发自旋波，并通过调制磁场光吸收光谱技术观察到了自旋波的存在。我们还探索了不同外加磁场条件下自旋波的谱学行为。 最后，我们研究了（Ga,Mn）As材料的光控制磁性。我们证明了使用光学方法可以有效地控制（Ga,Mn）As材料的铁磁性，这一发现对磁电子器件的设计具有重要意义。 综上所述，我们成功地采用了光学方法研究了稀磁半导体（Ga,Mn）As材料的磁光性质。我们的研究结果对于深入理解该材料的磁性和半导体性质，以及开发高性能磁电子器件具有重要的意义。