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一种具有第一半导体晶片、第二半导体晶片和绝缘层的半导体传感器结构，其具有上侧和下侧，其中，第二半导体晶片具有衬底层，衬底层具有构造在正侧上的集成电路，集成电路具有构造在正侧上的至少一个金属连接接通部，第二半导体晶片的正侧和第一半导体晶片的正侧分别构造在绝缘层上，第一半导体晶片具有半导体层，半导体层具有三维霍尔传感器结构，三维霍尔传感器结构具有传感器区域，传感器区域由从所述半导体层的背侧延伸至正侧的单片半导体本体构成，在半导体本体的区域中，在正侧上构造彼此间隔开的至少三个第一金属连接接通部，并且在
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 111435700 A
(43)申请公布日
2020.07.21
(21)申请号 20201
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