原创力文档- 9
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- 2023-09-07 发布于四川
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一种半导体激光器的制备方法，包括：在凹槽的底部表面、脊形区的侧壁表面和脊形区的顶部形成钝化层；在钝化层的表面形成胶膜，所述凹槽中的胶膜的表面低于所述脊形区的顶部的胶膜的表面；提供平板基板，将平板基板压印在脊形区背离半导体衬底层的一侧，使得脊形区顶部的胶膜的厚度远小于所述凹槽中的胶膜的厚度；之后，对胶膜进行固化，将平板基板移除；之后，采用无掩膜刻蚀工艺去除脊形区顶部的胶膜；之后，以凹槽的底部表面和脊形区的侧壁表面的钝化层上覆盖的胶膜为掩膜刻蚀去除脊形区顶部的钝化层，形成电流注入窗口。该半导体激光器
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116706684 A
(43)申请公布日 2023.09.05
(21)申请号 202310844969.6
(22)申请日 2023.07.11
(71)申请人 苏州镓锐芯光科技有限公司
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