一种多掺杂多晶硅层TOPCon电池结构及其制备方法.pdfVIP

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2023-09-07 发布于四川
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一种多掺杂多晶硅层TOPCon电池结构及其制备方法.pdf

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本发明提供一种多掺杂多晶硅层TOPCon电池结构及其制备方法，涉及TOPCon电池加工技术领域。所述掺杂多晶硅层TOPCon电池结构包括N型单晶硅片，依次设置在N型单晶硅片正面的扩散层、钝化层、正面减反射层和正面金属电极，依次设置在N型单晶硅片背面的隧穿层、掺杂多晶硅层、背面减反射层和背面金属电极，所述掺杂多晶硅层包括三层结构的掺杂多晶硅层。本发明克服了现有技术的不足，保证金属接触区的掺杂多晶硅厚度和掺杂浓度，避免浆料烧结过程隧穿氧化层被破坏，降低复合电流和接触电阻，同时又能保证PN结两侧的电位

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116705881 A (43)申请公布日 2023.09.05 (21)申请号 202310805242.7 (22)申请日 2023.07.03 (71)申请人滁州捷泰新能源科技有限公司地址