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本申请实施例公开了一种存储单元、阵列读写方法、控制芯片、存储器和电子设备，该存储单元包括：第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管包括第一管脚、第二管脚、第三管脚和第四管脚；第三管脚为第一栅极，第四管脚为第二栅极；第二晶体管包括第五管脚、第六管脚和第七管脚；第七管脚为第三栅极；第一管脚与读出位线相连，第二管脚为参考电压端，第一栅极与读出字线相连，第二栅极与第五管脚相连；第六管脚与写入位线相连，第三栅极与写入字线相连。该实施例方案中将写入电压存储在管脚内省去了单独制作较大面积的电容器，同时第一晶体管设置
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 115312091 A
(43)申请公布日 2022.11.08
(21)申请号 202210804363.5
(22)申请日 2022.07.07
(71)申请人 北京超弦存储器研究院
地址 100
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