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半导体存储装置具备：衬底；第1电极，具有第1面及第2面，第1面在与衬底的表面平行的第1方向延伸，在第1方向及与第1方向交叉且相对于衬底垂直的第2方向扩展；第2电极，具有第3面及第4面；信号线，设置在第2面与第4面之间；第1电荷保持膜，具有第1部及第2部，第1部设置在信号线与第2面之间，第2部设置在相对于第1部朝第2面的方向在第3方向突出的位置；及第2电荷保持膜，具有第3部及第4部，第3部设置在信号线与第4面之间，第4部设置在相对于第3部朝第4面的方向在第3方向突出的位置；与衬底平行且与第1方向交
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 110277406 A
(43)申请公布日
2019.09.24
(21)申请号 20181
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