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新型含硅有机半导体材料的合成和性质研究的中期报告 应用于电子器件领域的有机半导体材料，因其具有可调性强、柔性好、低成本等优势而备受关注。然而，现有的有机半导体材料往往存在挥发性高、长时间稳定性差等问题，限制了其在工业化生产和实际应用中的发展。针对这一问题，我们开展了基于硅的有机半导体材料的研究工作。 本研究以苯并二噻唑（BT）为主要骨架，通过在其分子结构上引入硅酮单元和不同侧链（alkyl、aryl）实现了多款含硅有机半导体材料的合成。通过红外光谱和核磁共振谱对合成产物进行表征，验证了其结构的正确性。同时，通过热重分析和差示扫描量热法，对其热稳定性、热重分解温度和热解动力学进行了研究。实验结果表明，硅酮基团的引入使得材料的热稳定性明显提升，加入不同侧链也对材料热性能有影响。 此外，本研究还探究了这些含硅有机半导体材料的光电性质和电子传输特性。在紫外可见吸收光谱和荧光光谱方面，引入不同的侧链和硅酮基团均对其吸收和发射特性产生影响，表现出不同的光电性质。通过电学测试和场效应晶体管器件的制备，发现引入不同侧链和硅酮基团后，材料的载流子迁移率和稳定性也发生了变化，其中采用alkyl侧链的样品具有更好的性能表现。 总之，本研究对含硅有机半导体材料的合成、结构表征、热性能、光电性质和电子传输特性等进行了系统研究，并初步探索了其中的关系与机制。这些工作为进一步优化和设计新型有机半导体材料提供了基础，有望为其在电子器件领域的应用开辟新的道路。