基于变分法的准二维MOSFET阈值电压的解析模型的中期报告.docxVIP

基于变分法的准二维MOSFET阈值电压的解析模型的中期报告 本报告介绍了基于变分法的准二维MOSFET阈值电压的解析模型的研究进展，包括理论基础、模型建立、求解方法和结果分析等方面。 一、理论基础 变分法是一种解决极值问题的方法，其核心思想是将函数的极值问题转化为变分问题求解。在电子器件中，我们可以用变分法来求解模型中的物理量，在MOSFET中求解阈值电压就是一个典型的应用。 二、模型建立 模型基于准二维MOSFET的物理特性建立，考虑了体效应和面效应，并利用变分法分别求解源侧和漏侧的导电性质。模型中的关键参数包括离子强度、散射机制、阈值电压等等。 三、求解方法 变分法求解过程中需要构建变分函数，再利用欧拉-拉格朗日方程求解得到极值的条件。本模型采用了逆向工程法构建变分函数，然后采用有限元法求解欧拉-拉格朗日方程，得到解析解。 四、结果分析 模型的结果表明，准二维MOSFET阈值电压与其体效应系数、栅长、背面势等因素密切相关，与其它一些材料和电子参数如材料种类、接触面积等因素也有关联。模型与实验结果吻合度较高。 五、总结 基于变分法的准二维MOSFET阈值电压的解析模型是一种较为精确且可靠的求解方法，并可用于补充和拓展其它一些研究方法的结果，为MOSFET电路设计和优化提供了理论支持。