第二章晶体结构的缺陷.pptVIP

2.7 半导体晶体中的掺杂缺陷—电子缺陷 根据能带理论，当原子或离子紧密堆积形成晶体时，外层 价电子是离域的，所有的价电子归整个晶格的原子所共有。 外层电子(能量高) 势垒穿透概率较大，可以在整个固体中 运动, 称为共有化电子。 内层电子与原子核结合较紧,一般是非共有化电子。 价电子波函数线性组合形成的分子轨道在空间上延伸到整 个晶体。 分子轨道数目很多，而其能量间隔极小，所以就形成能带。 （1）固体的能带结构 当前第1页\共有39页\编于星期三\8点 分子轨道理论的延伸: 有限到无限,一维到三维 当n?? 时的线性氢原子链Hn的能级分布图 当前第2页\共有39页\编于星期三\8点 根据电子占据情况能带分为： 满带：由充满电子的能级构 　　　　成，能量较低； 价带：由未充满电子的能级 　　　　构成，能量较高； 空带：由未填电子的能级构 　　　　成，能量较高； 　禁带：满带顶到导带底之间 　　　　的能量间隔。 能带结构及导体、半导体和绝缘体的划分 固体中的轨道也称为能级 对半导体：满带也称价带 空带亦称导带 当前第3页\共有39页\编于星期三\8点 吸收一定波长的光如：514nm 满 带 空 带 h? ?Eg=2.42eV Cd S半导体 满带上的电子跃迁到空带后, 满带中出现空的电