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新型高k材料叠栅MIS结构实现和电特性研究的中期报告 中期报告 一. 研究背景和目的 高k材料已成为下一代微电子器件中不可或缺的材料之一，因其相较与传统的SiO2介质，高介电常数会显著地提高电容量。因此，高k堆叠的MIS结构已经成为一种重要的器件结构。该结构已被广泛应用于非挥发性存储器件, 逻辑门, 预充电IC, 无线电频段滤波器, 以及各种微波元器件。本研究旨在研究新型高k材料叠栅MIS结构的实现方法以及其电特性，以期为今后器件的研发提供技术支持。 二. 研究进展 1.材料制备 高介电材料选用HfO2，并通过化学气相沉积法（CVD）在硅片上生长。结构采用金属-绝缘体-半导体(MIS) 三层结构。前电极金属为Al，反电极金属为Ti，分别采用溅射法制备。 2. 测量方法 电容测量:电容采用试样通的LRC桥测量方法，测量频率为100kHz. 电流测量:MIS结构的电流-电压 (I-V) 特性通过测量在不同偏置电压下在硅片的I-V曲线获得。 3. 结果分析 通过优化生长条件，得到了具有较好电性能的HfO2膜。 图1为试样电容C-V曲线，该曲线显示出非常好的击穿特性，随着偏置电压的增加，电容量有所下降，但是击穿电压始终大于5.0V，这说明了HfO2对电压应力的抵抗性很强。 图2显示出MIS结构的I-V曲线，可以发现在正漏电流和反漏电流上，HfO2膜的的性能优于SiO2。这说明堆砌HfO2膜