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- 2023-09-10 发布于四川
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本发明提供了一种等离子体处理设备和制造半导体器件的方法。所述等离子体处理设备包括：处理室，其具有内部空间；静电卡盘，其在处理室中并且衬底被安装在其上；气体注入单元，其在处理室的一侧将处理气体注入到处理室中；等离子体施加单元，其将注入到处理室的处理气体转变为等离子体；以及等离子体调节单元，其设置在静电卡盘周围并且可操作以调节衬底上的等离子体的密度。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 109427529 A
(43)申请公布日
2019.03.05
(21)申请号 20181
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