超级结功率器件及电子器件.pdfVIP

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  • 2023-09-10 发布于四川
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本实用新型公开了一种超级结功率器件及电子器件,涉及半导体器件的技术领域。超级结功率器件包括漏极机构、耐压层机构、源极机构以及栅极机构;耐压层机构包括N柱、P柱和第一部分掺杂区,N柱和P柱并列形成于漏极机构,第一部分掺杂区形成于P柱背离漏极机构的端部,第一部分掺杂区的浓度大小大于P柱的浓度大小,P柱背离漏极机构的表面和第一部分掺杂区背离漏极机构的表面结合形成第一接触面;源极机构与P柱和第一部分掺杂区均接触;栅极机构形成于N柱背离漏极机构的端部,栅极机构分别与源极机构和N柱绝缘接触。本实用新型解决了

(19)国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 219658713 U (45)授权公告日 2023.09.08 (21)申请号 202321260346.6 (22)申请日 2023.05.22 (73)专利权人 希力微电子 (

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