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cvd法制备zno薄膜及其生长和电学特性研究 zno是新一代宽敏区多功能疑难材料，具有优异的光学、电、电性能，广泛应用于光明装置、低破坏光波、太阳能电池和声表面波设备。随着移动通信行业的快速发展，zno薄膜声表面波的低损坏率和高频滤波具有体积小、整合能力和过滤频率高的特点，成为第三代通信的焦点。具有高工作频率的地表噪声输出滤波器广泛应用于高相速度的广播通信中。然而，工作频率超过1ghz的地表声波输出滤波器在高频广播广播以外的通信中起着重要作用，但由于工作频率超过2.5ghz的地表声波输出滤波器对更换脉冲能耗的电极宽度的要求是传统光刻技术的限制。为了提高工作频率，需要增加表面噪声波采集的相速度，并将zno沉积到高相速度的补贴下。虽然钻石没有具有电致动力特性，但具有自然界中最大的柔性刚性常数，声音速度为1000ms。因此，将中诺薄膜置于钻石材料中，声表面波可以穿过钻石表面，通过zno-钻石结构获得高声速，并获得高频表面波矩阵。 对于低损、 高频的表面声学波滤波器, 其机电耦合系数、 频率温度系数和传输衰减均受ZnO材料性质的影响. 因此, 高质量ZnO薄膜是器件制备的基础. 研究表明, 以ZnO-金刚石-Si结构为基体的表面声学波滤波器[10,11,12,13,14,15]可以提高工作频率, 其中金刚石大部分为用CVD方法制备的非自持10～100 μm的金刚石薄膜. 该非自持金刚石薄膜大部分以硅基底为依托, 很难发挥金刚石高热传导性能, 因此应考虑该结构的声表面波滤波器的高功率时间耐久性. 本文利用金属有机化合物气相沉积系统(MOCVD)在自持金刚石厚膜上沉积N掺杂ZnO薄膜, 并利用扫描电子显微镜(SEM)、 原子力显微镜(AFM)、 X射线衍射(XRD)仪和霍尔测量系统对样品进行检测. 1 zno薄膜的制备 本文所用基片是通过热阴极直流辉光放电等离子体化学气相沉积(HC-PCVD)制备的厚度为0.5～0.8 mm的自持金刚石厚膜, 具有高沉积速率(20 μm/h)、 大沉积面积(?80 mm)以及高热导率(15 W/(K·cm)). 由于该金刚石厚膜生长面的粗糙度较高及金刚石超硬耐磨的特性, 对生长面研磨抛光非常困难, 因此本文选择较光洁的成核面作为其沉积ZnO的衬底表面, 降低了机械抛光的难度, 并可以充分利用金刚石的各种优异性能. 制备前先做以下预处理: 对金刚石厚膜的成核面进行机械抛光, 以满足沉积ZnO薄膜对衬底表面高平整度的要求, 依次用甲苯、 丙酮、 乙醇和去离子水超声清洗各5 min, 以去除表面油渍, 在恒温160 ℃对金刚石厚膜用V(H2SO4) ∶V(H3PO4)=3∶1的混合液腐蚀15 min, 并用去离子水冲洗干净, 经氮气吹干后送入反应室. 本文利用等离子体增强MOCVD系统制备ZnO 薄膜. 反应源为二乙基锌(DEZn)、 一氧化二氮(99.999 99%)和氧气(99.999 99%). 氩气(99.999 999%)作为锌源载体通过二乙基锌源瓶(源瓶温度保持-25 ℃). 为提高ZnO薄膜质量, 在反应室压力为61 Pa、 基片温度为400 ℃的条件下先生长一层缓冲层, 时间为3 min, 氩气和氧气流量分别为24 000 mL/min. 这种较低温度的缓冲层生长有利于薄膜的二维生长. 实验条件如下: 氧气和一氧化二氮的流量分别为6 000 mL/min, 薄膜基片温度分别为600,650,700 ℃. 工作气压约为73 Pa, 射频源功率为200 W, 生长时间为30 min. 利用日本JEOL公司生产的JSM-6360LV型扫描电镜和本原纳米仪器公司的CSPM-300型原子力显微镜分析ZnO薄膜表面形貌. 采用日本岛津型号为D/Max-2400的X射线衍射仪(CuKα1辐射, 波长λ=0.154 056 nm)研究薄膜的结晶特性. 利用霍尔测量系统研究薄膜的电学性能. 2 结果与讨论 2.1 基片温度影响 不同基片温度下ZnO薄膜的SEM表面形貌如图1所示. 由图1可见, 当基片温度为600 ℃时, 薄膜表面有较均匀的岛状团簇且较平整; 当基片温度为700 ℃时, 岛状团簇变大, 表面趋于不平整. 这是由于随温度升高, 在MOCVD反应室里, DEZn与O2反应逐渐剧烈, 易形成ZnO颗粒, 而不易成膜, 使薄膜质量下降, 因此在温度600 ℃时可以得到较高表面平整度的薄膜. 当基片温度为600 ℃时, ZnO薄膜表面的原子力显微镜照片如图2所示. 由图2可见, 在该温度下表面岛较均匀, 表面较平整, 多数表面岛间彼此平行, 表明ZnO可能是取向生长. SEM和AFM结果表明, 当基片温度为600 ℃时, 在自持金刚石厚膜上沉积的ZnO薄膜具有较高的表面平整度, 该性能是声表面波(SAW)