半导体工艺实验报告.docVIP

南通大学电子信息学院 实验报告册 实验名称：半导体专业实验 班级：集成091 姓名：杨龙龙 学号：0911002072 2011——2012年第二学期 MOS程序设计实验与结论分析 一实验目的： 设计0.5um NMOS; 在不同的工艺参数下仿真NMOS I-V特性曲线。 仿真软件： Silvaco TCAD 实验内容： 基本的MOS从ATLAS界面模拟了Id/Vgs曲线和提取的 电压以及其他的SPICE参数。这个实验表明： 在ATHENA中的MOS晶体管工艺仿真； ATHENA与ATLAS之间的无接缝界面转换； 当Vds=-0.1V时生成简单的Id/Vgs曲线； 对Vt提取IV曲线参数。 在文件最后的提取语句是用来衡量阈值电压和其他SPICE参数的。从提取语句得到的结果将会在输出语句中，保存到一个叫results.final并有选择性的在优化使用。在MOS器件提取中一项有特别用途的操作是abs（）。他取变量的绝对值，可以用在所有PMOS和NMOS提取中。 四、实验步骤： 1、改变阱浓度的影响 （1）、在ATHENA中，将阱注入计量由原来的8e12cm-2改为8e10cm-2、8e14cm-2 #p-well implant implant boron dose=8e12 energy=100 pears （2）、保存并重新进行仿真； （3）、保存仿真所得的器件结构以