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本发明公开了一种适用于连续加料的直拉单晶硅生产装置及生产方法，所述生产装置包括石英坩埚、支撑坩埚、加热器、热屏、保温材料、主腔室和副室，所述石英坩埚为双坩埚，所述坩埚底部中心处为凹形结构；所述加热器包括侧边加热器和中心加热器，所述中心加热器位于所述坩埚底部中心处的凹形结构内。本发明的生产装置用于直拉单晶硅的生产，采用中心加热器，可以直接调节固液界面附近的温度梯度，大幅提高固液界面温度梯度的均匀性，获得良好的V/G，大大提高半导体完美晶良率。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116732608 A
(43)申请公布日 2023.09.12
(21)申请号 202310694622.8
(22)申请日 2023.06.13
(71)申请人 万华化学集团电子材料有限公司
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